Jyväskylän yliopisto | JYX-julkaisuarkisto

 
Näytä aineisto 

Näytä suppeat kuvailutiedot

Self- and impurity diffusion in intrinsic relaxed silicon-germanium

dc.contributor.authorLaitinen, Pauli
dc.date.accessioned2008-03-03T11:16:24Z
dc.date.available2008-03-03T11:16:24Z
dc.date.issued2004
dc.identifier.isbn978-951-39-3150-6
dc.identifier.otheroai:jykdok.linneanet.fi:1053255
dc.identifier.urihttps://jyx.jyu.fi/handle/123456789/13920
dc.format.extent57 sivua
dc.language.isoeng
dc.publisherUniversity of Jyväskylä
dc.relation.ispartofseriesResearch report / Department of Physics, University of Jyväskylä
dc.relation.haspart<b>Artikkeli I</b> Laitinen, P., Touboltsev, V., Tyurin, G., & Räisänen, J. (2002). Detection system for depth profiling of radiotracers. <i>Nuclear Instruments and Methods, B 190, 183.</i> DOI: <a href="https://doi.org/10.1016/s0168-583x(01)01205-8"target="_blank"> 10.1016/s0168-583x(01)01205-8</a>
dc.relation.haspart<i<Artikkeli II:</i> Laitinen, P., Nevala, M., Pirojenko, A., Ranttila, K., Seppälä, R., Riihimäki, I., Räisänen, J., & Virtanen, A. (2004). Utilisation of a sputtering device for targetry and diffusion studies. <i>Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B, 226(3), 441-446.</i> DOI: <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2004.06.027"target="_blank"> 10.1016/j.nimb.2004.06.027</a>
dc.relation.haspart<b>Artikkeli III:</b> Strohm, A., Voss, T., Frank, W., Laitinen, P., & Räisänen, J. (2002). Self-diffusion of 71Ge and 31Si in Si-Ge alloys. <i>Zeitschrift für Metallkunde, 93, 737.</i> DOI: <a href="https://doi.org/10.3139/146.020737"target="_blank"> 10.3139/146.020737</a>
dc.relation.haspart<b>Artikkeli IV:</b> Räisänen, J., Dendooven, P., Laitinen, P., Huikari, J., Nieminen, A., Riihimäki, I., Äystö, J., Strohm, A., Grodon, C., & Frank, W. (2002). Self-Diffusion of 31Si and 71Ge in relaxed Si0.20Ge0.80 layers. <i>Physical review letters, 89, Article 085902.</i> DOI: <a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.89.085902"target="_blank"> 10.1103/PhysRevLett.89.085902</a>
dc.relation.haspart<b>Artikkeli V:</b> Laitinen, P., Riihimäki, I., Räisänen, J., & Collaboration, I. (2003). Arsenic diffusion in relaxed SiGe. <i>Physical Review B, 68, 155209.</i> DOI: <a href="https://doi.org/10.1103/PhysRevB.68.155209"target="_blank"> 10.1103/PhysRevB.68.155209</a>
dc.relation.isversionofISBN 951-39-1698-7
dc.titleSelf- and impurity diffusion in intrinsic relaxed silicon-germanium
dc.typeDiss.
dc.identifier.urnURN:ISBN:978-951-39-3150-6
dc.type.dcmitypeTexten
dc.type.ontasotVäitöskirjafi
dc.type.ontasotDoctoral dissertationen
dc.contributor.tiedekuntaMatemaattis-luonnontieteellinen tiedekuntafi
dc.contributor.tiedekuntaFaculty of Mathematics and Scienceen
dc.contributor.yliopistoUniversity of Jyväskyläen
dc.contributor.yliopistoJyväskylän yliopistofi
dc.contributor.oppiaineFysiikkafi
dc.relation.issn0075-465X
dc.relation.numberinseriesno. 1/2004
dc.rights.accesslevelopenAccessfi


Aineistoon kuuluvat tiedostot

Thumbnail
Nimi:
978-951-39-3150-6.pdf
Koko:
275.8Kb
Tiedostomuoto:
PDF
Katso/Avaa

Aineisto kuuluu seuraaviin kokoelmiin

Näytä suppeat kuvailutiedot

Tietosuojailmoitus

Saavutettavuusseloste

Ellei toisin mainittu, julkisesti saatavilla olevia JYX-metatietoja (poislukien tiivistelmät) saa vapaasti uudelleenkäyttää CC0-lisenssillä.