Röntgenfluoresenssimittausten optimointi ohutkalvojen karakterisointiin
Authors
Date
2022Copyright
This publication is copyrighted. You may download, display and print it for Your own personal use. Commercial use is prohibited.
XRF-mittausten soveltuvuutta ja röntgenlähteen kiihdytysjännitteen sekä virran vaikutusta tutkittiin ohutkalvojen karakterisointiin. Käytössä oli 4 W röntgenlähde, jonka maksimi kiihdytysjännite oli 30 kV. Kuuden eripaksuisen (2, 5, 10, 20, 100, 300 nm) Al2O3-ohutkalvon XRF-spektrien Al-piikkien pinta-alojen suhde kalvon paksuuteen sovitettiin suoraksi, missä onnistuttiin parhaiten röntgenlähteen parametreilla 15 kV 133,33 μA mitatuille spektreillä. Samalla menetelmällä tutkittiin 20, 50 ja 300 nm paksuisia Al2O3 / TiO2-nanolaminaatteja ja tässäkin röntgenlähteen parametrit 15 kV 133,33 μA osoittautuivat parhaaksi. Lisäksi Al2O3 / TiO2-nanolaminaattien XRF-spektreistä pystyttiin osoittamaan kvalitatiivisesti epäpuhtautena esiintyvä kloori. Sekä Al2O3-ohutkalvojen että Al2O3 / TiO2-nanolaminaattien XRF-spektristä pystyttiin erottamaan matalalla 0,52 keV energialla fluoresoiva happi.
Metadata
Show full item recordCollections
- Pro gradu -tutkielmat [29148]
Related items
Showing items with similar title or keywords.
-
Itsekantavien hiilinanoputkivahvisteisten alumiinioksidikalvojen valmistus ja karakterisointi
Leppänen, Kasper (2016)Tässä pro gradu -tutkielmassa pyrittiin valmistamaan hiilinanoputkilla vahvistettuja itsekantavia Al2O3-ohutkalvoja. Ohutkalvot kasvatettiin märkäetsauksella ja atomikerroskasvatuksella ja niitä vahvistettiin levittämällä ... -
Low-temperature thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition of metal oxide thin films
Napari, Mari (University of Jyväskylä, 2017)Atomic layer deposition (ALD) is a method for thin film fabrication with atomic level precision. This thesis focuses on low-temperature thermal and plasma- enhanced ALD and presents results on thin film growth by these ... -
Properties of Atomic Layer Deposited Nanolaminates of Zirconium and Cobalt Oxides
Seemen, Helina; Rähn, Mihkel; Kalam, Kristjan; Sajavaara, Timo; Dueñas, Salvador; Castán, Helena; Link, Joosep; Stern, Raivo; Kukli, Kaupo; Tamm, Aile (Electrochemical Society, 2018)Five-layer crystalline thin film structures were formed, consisting of ZrO2 and Co3O4 alternately grown on Si(100) substrates by atomic layer deposition at 300◦C using ZrCl4 and Co(acac)3 as the metal precursors and ozone ... -
In-situ annealing characterization of atomic-layer-deposited Al2O3 in N2, H2 and vacuum atmospheres
Broas, Mikael; Lemettinen, Jori; Sajavaara, Timo; Tilli, Markku; Vuorinen, Vesa; Suihkonen, Sami; Paulasto-Kröckel, Mervi (Elsevier BV, 2019)Atomic-layer-deposited Al2O3 films can be used for passivation, protective, and functional purposes in electronic devices. However, as-deposited, amorphous alumina is susceptible to chemical attack and corrosion during ... -
Tribological properties of thin films made by atomic layer deposition sliding against silicon
Kilpi, Laura; Ylivaara, Oili M. E.; Vaajoki, Antti; Liu, Xuwen; Rontu, Ville; Sintonen, Sakari; Haimi, Eero; Malm, Jari; Bosund, Markus; Tuominen, Marko; Sajavaara, Timo; Lipsanen, Harri; Hannula, Simo-Pekka; Puurunen, Riikka L.; Ronkainen, Helena (AIP Publishing LLC, 2018)Interfacial phenomena, such as adhesion, friction, and wear, can dominate the performance and reliability of microelectromechanical (MEMS) devices. Here, thin films made by atomic layer deposition (ALD) were tested for ...