Jyväskylän yliopisto | JYX-julkaisuarkisto

  • suomi  | Anna palautetta |
    • suomi
    • English
 
  • Kirjaudu
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Näytä aineisto 
  • JYX
  • Opinnäytteet
  • Väitöskirjat
  • Näytä aineisto
JYX > Opinnäytteet > Väitöskirjat > Näytä aineisto

Low-temperature thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition of metal oxide thin films

Thumbnail
Katso/Avaa
6.4 Mb

Lataukset:  
Show download detailsHide download details  
Julkaistu sarjassa
Research report / Department of Physics, University of Jyväskylä
Tekijät
Napari, Mari
Päivämäärä
2017
Oppiaine
Fysiikka

 
Atomic layer deposition (ALD) is a method for thin film fabrication with atomic level precision. This thesis focuses on low-temperature thermal and plasma- enhanced ALD and presents results on thin film growth by these techniques with examples of common ALD materials: Al2O3, ZnO and TiO2. As an example of limitations of the thermal ALD the nucleation and growth of Al2O3 and ZnO films on different grades of poly(methyl methacrylate) (PMMA) are presented, showing that the initiation of the growth is strongly dependent on both the deposited material and the substrate. A potential application of the ALD ZnO films in polymer surface functionalization is demonstrated by changing in the surface wettability by means of UV-illumination. To overcome the nucleation delay in thermal ALD, room-temperature PEALD of ZnO films was demonstrated. It is shown that the growth and properties of the films depend on the PEALD reactor configuration and the plasma conditions therein. The plasma species interactions shown to be beneficial to the film growth were observed to damage the polymer substrates, the severeness depending on the polymer material. The last part of this thesis describes plasma mode transitions in capacitively- and inductively-coupled plasmas, that are typically used in PEALD processing. In addition to the mode transition induced changes in the plasma parameters, the contribution of the different plasma species to the growth and properties of ZnO and TiO2 films are demonstrated and discussed. ...
Julkaisija
University of Jyväskylä
ISBN
978-951-39-7099-4
ISSN Hae Julkaisufoorumista
0075-465X
Asiasanat
atomic layer deposition plasma-enhanced atomic layer deposition zinc oxide polymers atomikerroskasvatus ohutkalvot plasmatekniikka sinkkioksidi polymeerit
URI

http://urn.fi/URN:ISBN:978-951-39-7099-4

Metadata
Näytä kaikki kuvailutiedot
Kokoelmat
  • Väitöskirjat [3178]

Samankaltainen aineisto

Näytetään aineistoja, joilla on samankaltainen nimeke tai asiasanat.

  • Room-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition of ZnO : Film growth dependence on the PEALD reactor configuration 

    Napari, Mari; Lahtinen, Manu; Veselov, Alexey; Julin, Jaakko; Østreng, Erik; Sajavaara, Timo (Elsevier Sequoia, 2017)
    Room-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) of ZnO was studied by depositing the films using diethylzinc and O2 plasma from inductively-coupled plasma (ICP) and capacitively-coupled plasma (CCP) plasma ...
  • Plasma etch characteristics of aluminum nitride mask layers grown by low-temperature plasma enhanced atomic layer deposition in SF6 based plasmas 

    Perros, A.; Bosund, M.; Sajavaara, Timo; Laitinen, Mikko; Sainiemi, L.; Huhtio, T.; Lipsanen, H. (American Vacuum Society, 2012)
    The plasma etch characteristics of aluminum nitride (AlN) deposited by low-temperature, 200 C, plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) was investigated for reactive ion etch (RIE) and inductively coupled ...
  • Low-Temperature Atomic Layer Deposition of High-k SbOx for Thin Film Transistors 

    Yang, Jun; Bahrami, Amin; Ding, Xingwei; Zhao, Panpan; He, Shiyang; Lehmann, Sebastian; Laitinen, Mikko; Julin, Jaakko; Kivekäs, Mikko; Sajavaara, Timo; Nielsch, Kornelius (Wiley-VCH Verlag, 2022)
    SbOx thin films are deposited by atomic layer deposition (ALD) using SbCl5 and Sb(NMe2)3 as antimony reactants and H2O and H2O2 as oxidizers at low temperatures. SbCl5 can react with both oxidizers, while no deposition is ...
  • Cellulose-inorganic hybrids of strongly reduced thermal conductivity 

    Spiliopoulos, Panagiotis; Gestranius, Marie; Zhang, Chao; Ghiyasi, Ramin; Tomko, John; Arstila, Kai; Putkonen, Matti; Hopkins, Patrick E.; Karppinen, Maarit; Tammelin, Tekla; Kontturi, Eero (Springer Science and Business Media LLC, 2022)
    The employment of atomic layer deposition and spin coating techniques for preparing inorganic–organic hybrid multilayer structures of alternating ZnO-CNC layers was explored in this study. Helium ion microscopy and X-ray ...
  • Hydrogen and Deuterium Incorporation in ZnO Films Grown by Atomic Layer Deposition 

    Kinnunen, Sami; Lahtinen, Manu; Arstila, Kai; Sajavaara, Timo (MDPI AG, 2021)
    Zinc oxide (ZnO) thin films were grown by atomic layer deposition using diethylzinc (DEZ) and water. In addition to depositions with normal water, heavy water (2H2O) was used in order to study the reaction mechanisms and ...
  • Selaa aineistoja
  • Selaa aineistoja
  • Artikkelit
  • E-kirjat
  • Esitelmät ja posterit
  • Historialliset kartat
  • Julkaisusarjat
  • Konferenssit ja seminaarit
  • Lehdet
  • Opinnäytteet
  • Oppimateriaalit
  • Nuotit ja musiikki
  • Tutkimusdata
  • Tutkimusraportit
  • Valokuvat

Selaa

Kaikki aineistotKokoelmaluetteloJulkaisupäivätTekijätAsiasanatJulkaistuLaitosOppiaine

Omat tiedot

Kirjaudu sisään

Tilastot

Tarkastele käyttötilastoja
  • Kuinka julkaista JYXissä?
  • Rinnakkais­tallentaminen
  • Opinnäytteiden julkaisu
  • Väitöskirjojen julkaisu
  • Julkaisupalvelut

Avoin tiede JYU:ssa
 
Tietosuojailmoitus

Saavutettavuusseloste

Ellei toisin mainittu, julkisesti saatavilla olevia JYX-metatietoja (poislukien tiivistelmät) saa vapaasti uudelleenkäyttää CC0-lisenssillä.
Open Science Centre