Jyväskylän yliopisto | JYX-julkaisuarkisto

  • suomi  | Anna palautetta |
    • suomi
    • English
 
  • Kirjaudu
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Näytä aineisto 
  • JYX
  • Artikkelit
  • Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta
  • Näytä aineisto
JYX > Artikkelit > Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta > Näytä aineisto

Aluminum oxide/titanium dioxide nanolaminates grown by atomic layer deposition : Growth and mechanical properties

ThumbnailFinal draft
Katso/Avaa
630.5Kb

Lataukset:  
Show download detailsHide download details  
Ylivaara, O. M. E., Kilpi, L., Liu, X., Sintonen, S., Ali, S., Laitinen, M., . . . Puurunen, R. L. (2017). Aluminum oxide/titanium dioxide nanolaminates grown by atomic layer deposition : Growth and mechanical properties. Journal of Vacuum Science and Technology A, 35 (1), 01B105. doi:10.1116/1.4966198
Julkaistu sarjassa
Journal of Vacuum Science and Technology A
Tekijät
Ylivaara, Oili M. E. |
Kilpi, Lauri |
Liu, Xuwen |
Sintonen, Sakari |
Ali, Saima |
Laitinen, Mikko |
Julin, Jaakko |
Haimi, Eero |
Sajavaara, Timo |
Lipsanen, Harri |
Hannula, Simo-Pekka |
Ronkainen, Helena |
Puurunen, Riikka L.
Päivämäärä
2017
Tekijänoikeudet
© 2016 American Vacuum Society. This is a final draft version of an article whose final and definitive form has been published by AIP. Published in this repository with the kind permission of the publisher.

 
Atomic layer deposition (ALD) is based on self-limiting surface reactions. This and cyclic process enable the growth of conformal thin films with precise thickness control and sharp interfaces. A multilayered thin film, which is nanolaminate, can be grown using ALD with tuneable electrical and optical properties to be exploited, for example, in the microelectromechanical systems. In this work, the tunability of the residual stress, adhesion, and mechanical properties of the ALD nanolaminates composed of aluminum oxide (Al 2O3) and titanium dioxide (TiO2) films on silicon were explored as a function of growth temperature (110–300 °C), film thickness (20–300 nm), bilayer thickness (0.1–100 nm), and TiO2 content (0%–100%). Al 2O3 was grown from Me3 Al and H2O, and TiO2 from TiCl4 and H2O. According to wafer curvature measurements, Al 2O3/TiO2 nanolaminates were under tensile stress; bilayer thickness and growth temperature were the major parameters affecting the stress; the residual stress decreased with increasing bilayer thickness and ALD temperature. Hardness increased with increasing ALD temperature and decreased with increasing TiO2 fraction. Contact modulus remained approximately stable. The adhesion of the nanolaminate film was good on silicon. ...
Julkaisija
American Institute of Physics
ISSN Hae Julkaisufoorumista
0734-2101
Asiasanat
atomic layer deposition nanolaminates aluminium
DOI
10.1116/1.4966198
URI

http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201611084587

Metadata
Näytä kaikki kuvailutiedot
Kokoelmat
  • Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta [3755]
  • Selaa aineistoja
  • Selaa aineistoja
  • Artikkelit
  • E-kirjat
  • Esitelmät ja posterit
  • Historialliset kartat
  • Julkaisusarjat
  • Konferenssit ja seminaarit
  • Lehdet
  • Opinnäytteet
  • Oppimateriaalit
  • Nuotit ja musiikki
  • Tutkimusdata
  • Tutkimusraportit
  • Valokuvat

Selaa

Kaikki aineistotKokoelmaluetteloJulkaisupäivätTekijätAsiasanatJulkaistuLaitosOppiaine

Omat tiedot

Kirjaudu sisään

Tilastot

Tarkastele käyttötilastoja
  • Kuinka julkaista JYXissä?
  • Rinnakkais­tallentaminen
  • Opinnäytteiden julkaisu
  • Väitöskirjojen julkaisu
  • Julkaisupalvelut

Avoin tiede JYU:ssa
 
Tietosuojailmoitus

Saavutettavuusseloste
Open Science Centre