Näytä suppeat kuvailutiedot

dc.contributor.authorHokkanen, Matti
dc.date.accessioned2012-01-02T13:44:45Z
dc.date.available2012-01-02T13:44:45Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.otheroai:jykdok.linneanet.fi:1191327
dc.identifier.urihttps://jyx.jyu.fi/handle/123456789/37155
dc.description.abstractPuolijohdeteollisuuden kantavana voimana on alusta saakka ollut mikroprosessorien laskentatehon jatkuva kasvu, minkä on sallinut valmistusmenetelmien alituinen tehostuminen. Erityisen merkittävässä osassa on ollut yksittäisten transistorikomponenttien koon pienentyminen, sekä niiden pinta-alatiheyden kasvu substraatilla. On kuitenkin tunnustettu tosiasia, että sama kehitys ei voi jatkua enää pitkään, sillä jo nyt toimitaan nykyisten valmistusmenetelmien fysikaalisilla äärirajoilla. Suotuisan kehityksen turvaamiseksi on siis välttämätöntä ottaa käyttöön kokonaan uusia menetelmiä ja materiaaleja. Tutkielmani liittyy hiilinanoputkien (carbon nanotubes, CNTs) käyttöön sähköisissä komponenteissa, erityisesti kanavatransistoreissa (Field-Effect Transistors, FETs). Hiilinanoputkilla on mekaanisen stabiilisuutensa ja kemiallisen inerttisyytensä lisäksi useita hyödyllisiä sähköisiä ominaisuuksia, joiden vuoksi niillä uskotaan olevan merkittävä sovelluskohde transistorikomponentteina. Itse komponenttien valmistuksesta on viime vuosien aikana tullut tutkimuksessa rutiininomaista työtä, ja alalla on yleistynyt suuntaus jossa hiilinanoputket valmistetaan suoraan muutoin valmiiseen komponenttiin. Kuitenkin myös ennalta valmisteltuja hiilinanoputkidepositioita käytetään edelleen runsaasti. Tällöin merkittäväksi nousee deposition puhtaus. Tässä tutkielmassa käsittelen kehittämääni hiilinanoputkinäytteiden puhdistusmenetelmää, jonka uskon olevan avuksi hiilinanoputkitransistoreiden valmistuksessa. Liikkuvien vesirajapintojen vuorovaikutukseen pinnan partikkeleiden kanssa perustuvalla, yksinkertaisella menetelmällä voidaan parantaa hiilinanoputkinäytteiden laatua poistamalla niillä olevia pallomaisia roskapartikkeleja niin, että näytteelle vielä kuitenkin jää runsaasti hiilinanoputkia. Esittelen tässä menetelmän soveltamiseen tarvittavan järjestelyn, sekä puhdistuskokeiluissa saamani tulokset sen soveltuvuudesta käytäntöön. Käy ilmi, että menetelmällä voidaan tehokkaasti parantaa hiilinanoputkinäytteiden laatua, erityisesti monikerroksisista hiilinanoputkista koostuvien depositioiden. Lisäksi menetelmää voitanee soveltaa nanopartikkeleiden puhdistamiseen pinnoilta myös yleisesti. Itse puhdistusmenetelmän kuvailun lisäksi annan yleisen johdannon hiilinanoputkiin, sekä erityisesti niiden sähköisiin ominaisuuksiin. Tämän lisäksi käsittelen partikkeleiden adhesiota pinnoille teoreettisesta näkökulmasta. Motivoidakseni edellä mainittua puhdistusmenetelmää käsittelen myös hiilinanoputkipohjaisia transistoreita, ja pyrin selventämään, miltä osin ne poikkeavat perinteisistä puolijohdetransistoreista. Lisäksi esittelen hiilinanoputkitransistoreiden valmistusta laboratorio-olosuhteissa, sekä niiden sähköisten ominaisuuksien kokeellista määrittämistä.
dc.format.extent53 s.
dc.language.isofin
dc.rightsThis publication is copyrighted. You may download, display and print it for Your own personal use. Commercial use is prohibited.en
dc.rightsJulkaisu on tekijänoikeussäännösten alainen. Teosta voi lukea ja tulostaa henkilökohtaista käyttöä varten. Käyttö kaupallisiin tarkoituksiin on kielletty.fi
dc.subject.otherhiilinanoputket
dc.subject.otherkanavatransistorit
dc.titleHiilinanoputkien käyttö transistorikomponenteissa : hiilinanoputkinäytteiden laadun parantaminen, transistorikomponenttien valmistus sekä niiden sähköiset ominaisuudet
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:jyu-201201021000
dc.type.dcmitypeTexten
dc.type.ontasotPro gradufi
dc.type.ontasotMaster’s thesisen
dc.contributor.tiedekuntaMatemaattis-luonnontieteellinen tiedekuntafi
dc.contributor.tiedekuntaFaculty of Sciencesen
dc.contributor.laitosFysiikan laitosfi
dc.contributor.laitosDepartment of Physicsen
dc.contributor.yliopistoUniversity of Jyväskyläen
dc.contributor.yliopistoJyväskylän yliopistofi
dc.contributor.oppiaineFysiikkafi
dc.contributor.oppiainePhysicsen
dc.date.updated2012-01-02T13:44:46Z
dc.rights.accesslevelopenAccessfi
dc.contributor.oppiainekoodi4021
dc.subject.ysonanohiukkaset
dc.subject.ysonanotekniikka


Aineistoon kuuluvat tiedostot

Thumbnail

Aineisto kuuluu seuraaviin kokoelmiin

Näytä suppeat kuvailutiedot