Näytä suppeat kuvailutiedot

dc.contributor.advisorTarvainen, Olli
dc.contributor.advisorKoivisto, Hannu
dc.contributor.authorMarttinen, Miha
dc.date.accessioned2018-09-24T11:59:05Z
dc.date.available2018-09-24T11:59:05Z
dc.date.issued2018
dc.identifier.urihttps://jyx.jyu.fi/handle/123456789/59650
dc.description.abstractElektronisyklotroniresonanssi-ionilähteillä (ECRIS) tuotetaan korkeasti varattuja ione- ja kiihdytinpohjaisen fysiikan tutkimuksen tarkoituksiin. Pitkät ionien säilöntäajat ovat välttämättömiä korkeasti varattujen ionien tuottamiseksi. Tässä Pro Gradussa testataan transienttimenetelmää ionien säilöntäaikojen arviomiseksi sputteroimalla. Tutkielmassa esitellään tarpeellinen tausta plasmafysiikalle, ECR-ionilähteelle ominai- sille plasmailmiöille, sekä käytännön menetelmille ionien tuottamiseksi ECR-plasmassa. Kokeellisessa osiossa esitellään sputterointiin perustuva transienttimenetelmä ionien säi- löntäaikojen arvioimiseksi ionivirtojen transienttien aikavakioista. Aikavakioiden riippu- vuus ionilähteen operointiparametreistä analysoidaan nojaten teoreettiseen taustaan, ja sen havaitaan sopivan ionien sähköstaattiseen säilöntämalliin. Lisäksi työssä tutkitaan ionien tuottoaikoja soveltamalla sputterointimetodia nopeassa sputteroinnissa. Tuottoaikoja verrataan ionivirtojen saturaatioaikoihin, joita käytetään tyypillisesti radioaktiivisten ionisuihkujen tuoton rajakriteerinä. Havaitaan, että ionien tuottoajat ovat merkittävästi lyhyempiä kuin saturaatioajat, mikä on radioaktiivisten ionisuihkujen tuoton kannalta tärkeä havainto.fi
dc.description.abstractElectron Cyclotron Resonance Ion Sources (ECRIS) are used for Highly Charged Ion (HCI) production for accelerator based physics research. A necessary condition for HCI production are long ion confinement times. In this thesis, a transient sputtering method for estimating the confinement times is tested. In this thesis, the necessary background of plasma physics, ECRIS-specific theoretical plasma phenomena, and practicalities of HCI production with the ECRIS are introduced. In the experimental section, a transient sputtering method for estimating ion confinement times based on the ion current transient decay times is presented. The parameter dependence of the decay times is analyzed relying on the theoretical background, and found to be in accordance with the electrostatic ion confinement model. Additionally, the ion production times are probed by applying the sputtering method in a fast sputtering experiment. The production times are compared to the ion current saturation times, which are typically used as limiting criteria for radioactive ion beam production. It is observed, that the ion production times are significantly shorter than the current saturation times, which is an important finding with respect to radioactive beam production.en
dc.format.extent108
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoen
dc.subject.otherECRIS
dc.subject.otherion confinement time
dc.subject.otherion production
dc.titleTransient sputtering method for estimating ion confinement times in ECRIS plasma
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:jyu-201809244224
dc.type.ontasotPro gradu -tutkielmafi
dc.type.ontasotMaster’s thesisen
dc.contributor.tiedekuntaMatemaattis-luonnontieteellinen tiedekuntafi
dc.contributor.tiedekuntaFaculty of Sciencesen
dc.contributor.laitosFysiikan laitosfi
dc.contributor.laitosDepartment of Physicsen
dc.contributor.yliopistoJyväskylän yliopistofi
dc.contributor.yliopistoUniversity of Jyväskyläen
dc.contributor.oppiaineFysiikkafi
dc.contributor.oppiainePhysicsen
dc.rights.copyrightJulkaisu on tekijänoikeussäännösten alainen. Teosta voi lukea ja tulostaa henkilökohtaista käyttöä varten. Käyttö kaupallisiin tarkoituksiin on kielletty.fi
dc.rights.copyrightThis publication is copyrighted. You may download, display and print it for Your own personal use. Commercial use is prohibited.en
dc.type.publicationmasterThesis
dc.contributor.oppiainekoodi4021
dc.subject.ysoionit
dc.subject.ysoplasmafysiikka
dc.subject.ysoions
dc.subject.ysoplasma physics
dc.format.contentfulltext
dc.type.okmG2


Aineistoon kuuluvat tiedostot

Thumbnail

Aineisto kuuluu seuraaviin kokoelmiin

Näytä suppeat kuvailutiedot