Show simple item record

dc.contributor.authorHannula, Konsta
dc.date.accessioned2012-06-13T06:47:40Z
dc.date.available2012-06-13T06:47:40Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.otheroai:jykdok.linneanet.fi:1218403
dc.identifier.urihttps://jyx.jyu.fi/handle/123456789/38023
dc.description.abstractHiilinanoputket ovat todella herkkiä niiden lähiympäristössä tapahtuville muutoksille, joten niiden virrankuljetusominaisuuksia pystytään suhteellisen helposti muokkaamaan. Aromaattiset molekyylit esimerkiksi vuorovaikuttavat hiilinanoputken kanssa pii-pii -vuorovaikutusten välityksellä, jolloin molekyylien ja hiilinanoputken välillä voi tapahtua varausten siirtoa. Varausten siirtyminen taas muuttaa hiilinanoputken Fermi-tasoa ja vaikuttaa putken virrankuljetusominaisuuksiin. Myös atomeja voidaan kiinnittää hiilinanoputken seinämiin esimerkiksi sähköstaattisten vuorovaikutusten avulla, jolloin varausten siirron ja Fermi-tason muutoksen myötä putken virrankuljetusominaisuudet muuttuvat. Näiden esimerkkien kaltaista hiilinanoputkien sähköisten ominaisuuksien kemiallista muuttamista kutsutaan tavallisesti ”douppaukseksi”. Hiilinanoputkitransistorit, joiden elektrodit on tehty tavanomaisista metalleista, kuten kullasta tai palladiumista, ovat yleensä p-tyyppiä. Douppaus on yksi keino saada myös n-tyypin hiilinanoputkitransistoreja, joita tarvitaan loogisissa piireissä. Höyrystettyjä alkalimetalleja on yleisesti käytetty hiilinanoputkitransistoreiden n-tyypin douppaukseen, ja muutos p-tyypistä n-tyyppiin on vahvistettu hiilinanoputken virrankuljetusominaisuuksia mittaamalla. Samankaltaisia suoria sähköisiä mittauksia ei ole ennen tehty yksittäisille hiilinanoputkille, jotka on altistettu liuosfaasissa olevalle alkalimetallille. Tästä johtuen tämän gradun päätarkoitus oli tutkia liuosfaasissa olevan alkalimetallin douppausvaikutuksia yksittäisten hiilinanoputkien virrankuljetusominaisuuksiin. Alunperin puhtaasti p-tyypin hiilinanoputkitransistorit havaittiin muuttuvan puhtaasti n-tyypin transistoreiksi, jotka myös säilyttivät melko hyvin alkuperäiset ominaisuutensa, kuten esimerkiksi ON/OFF -suhteensa ja hilariippuvaisen virran kulmakertoimensa transitioalueella. Hiilinanoputkitransistorit ovat erittäin lupaavia pohjarakenteita nanosensorisovelluksille johtuen hiilinanoputkien herkkyydestä lähiympäristön muutoksille. Tutkimuksen toisena tavoitteena oli löytää douppausprosessin aikariippuvuus ja näin ollen testata hiilinanoputkitransistorin toimintaa nanosensorina. Sopivalla alkaliliuoksen laimennoksella hiilinanoputkitransistori saatiin doupattua kokonaan muutamassa tunnissa ja alkalikationien tarrautuminen hiilinanoputken pinnalle havaittiin yli kolmen kertaluvun virran muutoksena.
dc.format.extent85 sivua
dc.language.isoeng
dc.rightsThis publication is copyrighted. You may download, display and print it for Your own personal use. Commercial use is prohibited.en
dc.rightsJulkaisu on tekijänoikeussäännösten alainen. Teosta voi lukea ja tulostaa henkilökohtaista käyttöä varten. Käyttö kaupallisiin tarkoituksiin on kielletty.fi
dc.subject.otheralkali
dc.subject.othersensori
dc.subject.otherhiilinanoputket
dc.titleLiquid-phase alkali-doping of individual carbon nanotube field-effect transistors
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:jyu-201206131858
dc.type.dcmitypeTexten
dc.type.ontasotPro gradufi
dc.type.ontasotMaster’s thesisen
dc.contributor.tiedekuntaMatemaattis-luonnontieteellinen tiedekuntafi
dc.contributor.tiedekuntaFaculty of Mathematics and Scienceen
dc.contributor.laitosFysiikan laitosfi
dc.contributor.laitosDepartment of Physicsen
dc.contributor.yliopistoUniversity of Jyväskyläen
dc.contributor.yliopistoJyväskylän yliopistofi
dc.date.updated2012-06-13T06:47:40Z
dc.rights.accesslevelopenAccessfi
dc.contributor.oppiainekoodi4033
dc.subject.ysotransistorit
dc.subject.ysonanoputket


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record