Näytä suppeat kuvailutiedot

dc.contributor.authorOksanen, Mika
dc.date.accessioned2010-06-23T08:40:40Z
dc.date.available2010-06-23T08:40:40Z
dc.date.issued2010
dc.identifier.otheroai:jykdok.linneanet.fi:1131932
dc.identifier.urihttps://jyx.jyu.fi/handle/123456789/24486
dc.description.abstractElectrical and magnetotransport properties of thin bismuth films were studied in the range of 4.2 - 295 K in applied magnetic fields up to 3.5 T. The bismuth films were deposited on mica and SiO substrates and subjected to post deposition thermal annealing in order to improve the crystal structure. Annealed films showed lower resistivities and higher magnetoresistance as compared to the non annealed samples, however, the resistivity behavior was non-metallic and the mean grain size in the films were not significantly increased. A two carrier model for magnetoresistance and Hall coefficient was used to extract carrier mobilities and concentrations from the transport data.
dc.format.extent38 sivua
dc.language.isoeng
dc.rightsThis publication is copyrighted. You may download, display and print it for Your own personal use. Commercial use is prohibited.en
dc.rightsJulkaisu on tekijänoikeussäännösten alainen. Teosta voi lukea ja tulostaa henkilökohtaista käyttöä varten. Käyttö kaupallisiin tarkoituksiin on kielletty.fi
dc.subject.othernanofysiikka
dc.subject.othervismutti
dc.titleAnnealing study of bismuth thin films
dc.identifier.urnURN:NBN:fi:jyu-201006232140
dc.type.dcmitypeTexten
dc.type.ontasotPro gradufi
dc.type.ontasotMaster’s thesisen
dc.contributor.tiedekuntaMatemaattis-luonnontieteellinen tiedekuntafi
dc.contributor.tiedekuntaFaculty of Sciencesen
dc.contributor.laitosFysiikan laitosfi
dc.contributor.laitosDepartment of Physicsen
dc.contributor.yliopistoUniversity of Jyväskyläen
dc.contributor.yliopistoJyväskylän yliopistofi
dc.contributor.oppiaineFysiikkafi
dc.contributor.oppiainePhysicsen
dc.rights.accesslevelopenAccessfi
dc.contributor.oppiainekoodi4021
dc.subject.ysofysiikka


Aineistoon kuuluvat tiedostot

Thumbnail

Aineisto kuuluu seuraaviin kokoelmiin

Näytä suppeat kuvailutiedot