Röntgenfluoresenssimittausten optimointi ohutkalvojen karakterisointiin
XRF-mittausten soveltuvuutta ja röntgenlähteen kiihdytysjännitteen sekä virran vaikutusta tutkittiin ohutkalvojen karakterisointiin. Käytössä oli 4 W röntgenlähde, jonka maksimi kiihdytysjännite oli 30 kV. Kuuden eripaksuisen (2, 5, 10, 20, 100, 300 nm) Al2O3-ohutkalvon XRF-spektrien Al-piikkien pinta-alojen suhde kalvon paksuuteen sovitettiin suoraksi, missä onnistuttiin parhaiten röntgenlähteen parametreilla 15 kV 133,33 μA mitatuille spektreillä. Samalla menetelmällä tutkittiin 20, 50 ja 300 nm paksuisia Al2O3 / TiO2-nanolaminaatteja ja tässäkin röntgenlähteen parametrit 15 kV 133,33 μA osoittautuivat parhaaksi. Lisäksi Al2O3 / TiO2-nanolaminaattien XRF-spektreistä pystyttiin osoittamaan kvalitatiivisesti epäpuhtautena esiintyvä kloori. Sekä Al2O3-ohutkalvojen että Al2O3 / TiO2-nanolaminaattien XRF-spektristä pystyttiin erottamaan matalalla 0,52 keV energialla fluoresoiva happi.
Metadata
Näytä kaikki kuvailutiedotKokoelmat
- Pro gradu -tutkielmat [29747]
Lisenssi
Samankaltainen aineisto
Näytetään aineistoja, joilla on samankaltainen nimeke tai asiasanat.
-
Ohutkalvojen tunnistaminen atomivoimamikroskoopilla määritetyn kimmokertoimen avulla
Valjakka, Niklas (2023)Tässä työssä tutkin aiemmin vähän tutkittua menetelmää tutkia monikerroksisia ohutkalvoja. Menetelmä perustuu AFM:n avulla näytteestä mitattuun voimakäyrätietoon. Mittaukset koostuivat näytteiden valmistamisesta, sekä ... -
Ionisuihkuanalyysien soveltuvuus Fabryn ja Perot ́n interferometrin ohutkalvojen karakterisointiin
Parttimaa, Jarno (2014) -
Hiukkasherätteinen röntgen-emissio ohutkalvojen analysoinnissa
Käyhkö, Marko (2013)Tässä tutkielmassa tavoitteena oli analysoida ohutkalvoja hiukkasherätteisellä röntgen-emissiolla (PIXE) käyttäen apuna takaisinsirontaa. Erityisesti tavoitteena oli selvittää pystytäänkö PIXEllä saamaan lisätietoa ... -
Itsekantavien hiilinanoputkivahvisteisten alumiinioksidikalvojen valmistus ja karakterisointi
Leppänen, Kasper (2016)Tässä pro gradu -tutkielmassa pyrittiin valmistamaan hiilinanoputkilla vahvistettuja itsekantavia Al2O3-ohutkalvoja. Ohutkalvot kasvatettiin märkäetsauksella ja atomikerroskasvatuksella ja niitä vahvistettiin levittämällä ... -
Low-temperature thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition of metal oxide thin films
Napari, Mari (University of Jyväskylä, 2017)Atomic layer deposition (ALD) is a method for thin film fabrication with atomic level precision. This thesis focuses on low-temperature thermal and plasma- enhanced ALD and presents results on thin film growth by these ...
Ellei toisin mainittu, julkisesti saatavilla olevia JYX-metatietoja (poislukien tiivistelmät) saa vapaasti uudelleenkäyttää CC0-lisenssillä.