Asymptotic theory of resonant tunneling in quantum waveguides of variable cross-section
Halkaisijaltaan muunnellun kvanttiaaltojohtimen kapenemat toimivat tehokkaina potentiaalivalleina elektronin pitkittäissuuntaiselle liikkeelle. Kaksi kapenemaa muodostaa kvanttiresonaattorin, jossa resonoiva tunnelointi voi tapahtua. Tämä tarkoittaa sitä, että elektronit, joiden energia on lähellä resonanssia, läpäisevät resonaattorin todennäköisyydellä lähellä yhtä.Sarafanov kuvailee väitöskirjassaan asymptoottisesti elektroniaallon etenemistä kvanttiaaltojohtimessa, jossa on kaksi kapenemaa. Aaltoluvun k oletetaan olevan ensimmäisen ja toisen kynnysluvun välissä, jolloin vain sisään tuleva ja poismenevä aalto voivat edetä jokaisessa aaltojohtimen päässä äärettömyydessä. Väitöskirjassa esitetään asymptoottiset kehitelmät aaltofunktioille, ja heijastus- ja siirtymäkertoimille, kun kapenemien halkaisijat menevät nollaan. Lisäksi Sarafanov esittää asymptoottiset kaavat resonaatiotaajuuksille ja analysoi kertoimien käyttäytymistä lähellä resonanssipistettä. Monet elektroniset laitteet, kuten transistorit ja vahvistimet voivat perustua halkaisijaltaan muunneltuihin aaltojohtimiin. Sarafanovin esittämiä kaavoja voidaan hyödyntää näiden laitteiden ja niiden optimaalisen toiminnan suunnittelussa.
...
The narrows of a quantum waveguide with variable cross-section play the role of effective potential barriers for the electron longitudinal motion. Two narrows form a quantum resonator where a resonant tunneling can occur. It means that electrons with energy close to a resonant value pass through the resonator with probability near to 1.We give an asymptotic description of electron wave propagation in a quantum waveguide with two narrows. The wave number $k$ is assumed to be between the first and the second thresholds, so only one incoming and one outgoing wave may propagate in every outlet of the waveguide to infinity. We present the asymptotic expansions of wave functions, the reflection and transition coefficients as the diameters of narrows tend to zero. Moreover, the asymptotic formulas for the resonant frequencies are obtained and the behavior of the coefficients is analyzed near a resonance.
Publisher
University of JyväskyläISBN
978-951-39-3462-0ISSN Search the Publication Forum
1456-5390Keywords
Metadata
Show full item recordCollections
- Väitöskirjat [3535]
License
Related items
Showing items with similar title or keywords.
-
Asymptotic and numerical studies of electron scattering in 2D quantum waveguides of variable cross-section
Kabardov, Muaed (University of Jyväskylä, 2012) -
Electromagnetic wave propagation in non-homogeneous waveguides
Poretskii, Aleksandr (University of Jyväskylä, 2015)We investigate an electromagnetic waveguide, having several cylindrical ends. The waveguide is assumed to be empty and to have a perfectly conductive boundary. We study the electromagnetic field, excited in the waveguide ... -
The pion single-event latch-up cross-section enhancement : mechanisms and consequences for accelerator hardness assurance
Coronetti, Andrea; Alia Garcia, Ruben; Cerutti, Francesco; Hajdas, Wojtek; Söderström, Daniel; Javanainen, Arto; Saigne, Frederic (Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021)Pions make up a large part of the hadronic environment typical of accelerator mixed-fields. Characterizing device cross-sections against pions is usually disregarded in favour of tests with protons, whose single-event ... -
Effect of 20 MeV Electron Radiation on Long Term Reliability of SiC Power MOSFETs
Niskanen, Kimmo; Kettunen, Heikki; Lahti, Mikko; Rossi, Mikko; Jaatinen, Jukka; Söderström, Daniel; Javanainen, Arto (Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2023)The effect of 20 MeV electron radiation on the lifetime of the silicon carbide power MOSFETs was investigated. Accelerated constant voltage stress (CVS) was applied on the pristine and irradiated devices and time-to-breakdown ... -
Current Transport Mechanism for Heavy-Ion Degraded SiC MOSFETs
Martinella, Corinna; Stark, R.; Ziemann, T.; Alia, R. G.; Kadi, Y.; Grossner, U.; Javanainen, Arto (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019)High sensitivity of SiC power MOSFETs has been observed under heavy ion irradiation, leading to permanent increase of drain and gate leakage currents. Electrical postirradiation analysis confirmed the degradation of the ...